臺灣無廠企業(yè)瑞昱半導體和美國加利福尼亞大學的研究小組，將在“ISSCC 2006”會議上發(fā)表在單芯片中集成支持無線通信技術“UWB（超寬帶）”的物理層和RF收發(fā)電路的LSI。據(jù)悉，這將是首次公開發(fā)表在單芯片中集成UWB物理層處理電路和RF電路的LSI。演講題目為《A Fully Integrated UWB PHY in 0.13μm CMOS》（演講序號：6.6）。 

　　利用130nm工藝CMOS技術在單芯片中集成了直接轉換方式的RF收發(fā)電路和物理層處理電路。UWB的調(diào)制方式采用高速無線通信業(yè)界團體“WiMedia”提出的多頻帶OFDM。在3.1GHz～4.8GHz頻帶中，支持跳頻和固定頻率2種模式。從RF收發(fā)器的耗電電流來看，接收時為100mA，發(fā)送時為70mA。芯片尺寸為17mm2。